低壓驅(qū)動(dòng)電光調(diào)制器：橫向場(chǎng)ADP、KD*P和鈮酸鋰類似物調(diào)制器
系列：EM200 , EM400
品牌：Leysop
ADP調(diào)制器可以被設(shè)計(jì)為在從UV到可見(jiàn)光直至900nm左右的所有波長(zhǎng)下工作，并且基本上不受壓電諧振的影響。這種調(diào)制器類型具有高度的溫度穩(wěn)定性，但如果需要長(zhǎng)期直流振幅，則應(yīng)在恒溫環(huán)境中運(yùn)行。調(diào)制頻率不受器件特性的限制，而受其電容的限制，因此取決于所使用的驅(qū)動(dòng)電路。寬帶AR涂層用于所有組件，或者我們可以提供流體填充版本，包括超高傳輸類型。
低壓驅(qū)動(dòng)電光調(diào)制器
橫向場(chǎng)ADP、KD*P和鈮酸鋰類似物調(diào)制器
ADP
ADP調(diào)制器可以被設(shè)計(jì)為在從UV到可見(jiàn)光直至900nm左右的所有波長(zhǎng)下工作，并且基本上不受壓電諧振的影響。這種調(diào)制器類型具有高度的溫度穩(wěn)定性，但如果需要長(zhǎng)期直流振幅，則應(yīng)在恒溫環(huán)境中運(yùn)行。調(diào)制頻率不受器件特性的限制，而受其電容的限制，因此取決于所使用的驅(qū)動(dòng)電路。寬帶AR涂層用于所有組件，或者我們可以提供流體填充版本，包括超高傳輸類型。
ADP設(shè)計(jì)的一個(gè)特點(diǎn)是，由于光學(xué)傳播不是沿著對(duì)稱軸進(jìn)行的，所以普通偏振光會(huì)“走光”，因此有必要使用四個(gè)匹配的晶體，適當(dāng)?shù)囟ㄏ颍匝a(bǔ)償走光和靜態(tài)雙折射。這確實(shí)會(huì)對(duì)最大傳輸產(chǎn)生輕微影響，因?yàn)榕c其他調(diào)制器類型相比，晶體表面的數(shù)量是前者的兩倍。
KD*P
橫向KD*P電光調(diào)制器能夠提供比ADP型更高的熱穩(wěn)定性，這主要是因?yàn)樗鼈儾恍枰嗤乃木w排列。透射范圍也擴(kuò)展到約1200nm，并且其消光比也比從ADP對(duì)應(yīng)物獲得的消光比更好。然而，它確實(shí)顯示出壓電特性，因此對(duì)于數(shù)百kHz到低MHz范圍內(nèi)的高頻調(diào)制來(lái)說(shuō)不是一個(gè)很好的選擇，盡管使用諧振阻尼技術(shù)可以提高這里的性能。這些設(shè)備也可以提供干燥的適當(dāng)AR涂層或流體填充，包括超高傳輸版本。
鈮酸鋰
鈮酸鋰是一種高溫生長(zhǎng)的光學(xué)材料，與ADP和KD*P晶體不同，它不溶于水。盡管它在500nm以下（以及高達(dá)~800nm，請(qǐng)注意僅使用低光功率）無(wú)法安全運(yùn)行，但在該范圍以上，它具有良好的透明度，可達(dá)~4μm。為了獲得最佳的熱穩(wěn)定性，最好使用Z形切割晶體，這是我們的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，并且沒(méi)有需要補(bǔ)償?shù)撵o態(tài)雙折射。然而，使用雙折射補(bǔ)償X切割設(shè)計(jì)可以獲得更高的靈敏度。這種切割也用于不需要這種補(bǔ)償?shù)南辔徽{(diào)制器。
不幸的是，鈮酸鋰是非常強(qiáng)的壓電性的，這會(huì)限制其在需要良好時(shí)間性能的某些應(yīng)用中的使用。電池干燥后在晶體和窗戶上涂上合適的AR涂層（盡管技術(shù)上并不總是需要，但這些涂層用于密封電池以防灰塵等）
應(yīng)用
通過(guò)使用較低的工作電壓，可以更容易地找到具有足夠帶寬的驅(qū)動(dòng)器。對(duì)于EM200系列調(diào)制器，M250通常足以提供完整的調(diào)制（但最長(zhǎng)波長(zhǎng)僅為~700nm）。對(duì)于較大的EM400和EM600設(shè)備，可以使用較新的M1000甚至M2500放大器，但這些放大器的帶寬確實(shí)略為有限。原理應(yīng)用通常是需要真正的模擬調(diào)制（任意波形）的任何地方，例如產(chǎn)生任意偏振旋轉(zhuǎn)（需要額外的波片來(lái)保持線性偏振）。它們還可用于從需要脈沖脈沖強(qiáng)度控制的CW激光源產(chǎn)生脈沖輸出，這是伴隨放大器可以輕松提供的。
產(chǎn)品規(guī)格
| 型號(hào)/系列 | EM 200A | EM 400A | EM 200K | EM 400K | EM 200L | EM 400L |
| 晶體類型 | ADP | ADP | KD*P | KD*P | LiNb03 | LiNb03 |
| 有效區(qū)域 | 2.2mm | 4.0mm | 2.2mm | 4.0mm | 2.0mm | 4.0mm |
| 晶體長(zhǎng)度 | 4 x 20mm | 4 x 20mm | 2 x 40mm | 2 x 40mm | 2 x 36mm | 2 x 36mm |
| 半波電壓@633nm | 220V | 370V | 220V | 370V | 220V | 440V |
| 晶體取向 | 45° y-cut | 45° y-cut | 45° z-cut | 45° z-cut | z-cut | z-cut |
| 波長(zhǎng)范圍 | 0.3 - 0.9um | 0.3 - 0.9um | 0.2 - 1.2um | 0.2 - 1.2um | 0.5 - 4.0um | 0.5 - 4.0um |
| 最大連續(xù)施加電壓 | 400 | 1000 | 400 | 1000 | 400 | 1000 |
| 消光比 | > 100:1 | > 150:1 | > 150:1 | > 200:1 | > 100:1 | > 150:1 |
| 電容 | 60pf | 60pf | 40pf | 40pf | 60pf | 60pf |
| 直徑 | 40mm | 40mm | 40mm | 40mm | 40mm | 40mm |
| 長(zhǎng)度 | 110mm | 110mm | 110mm | 110mm | 110mm | 110mm |
| 光學(xué)傳輸效率 | > 85%* | > 85%* | > 90%* | > 90%* | > 90%* | > 90%* |
| 連接器類型 | ---BNC--- | ---BNC--- | ---BNC--- | ---BNC--- | ---BNC--- | ---BNC--- |
設(shè)備的孔徑大小標(biāo)稱為2mm和4mm，但可提供高達(dá)6mm的孔徑，大多數(shù)設(shè)備都可配置為優(yōu)化偏振調(diào)制（交叉偏振器之間的強(qiáng)度調(diào)制）或相位調(diào)制的晶體，其中輸入偏振狀態(tài)保持不變，單元調(diào)制表觀光路長(zhǎng)度。
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